IBM anuncia que triplicó capacidad de memoria en chips

San José, California, EE.UU.- IBM ha diseñado una manera de triplicar la cantidad de memoria almacenada en chips de computadora y duplicar el desempeño de procesadoras al reemplazar un problemático tipo de memoria con una variedad que usa mucho menos espacio.

"Hacemos todos los esfuerzos posibles en la industria de los semiconductores para obtener un desempeño algo mejor en cada generación. Lo que intentamos hacer aquí es fusionar dos tecnologías ... en el mismo chip para obtener una cantidad mucho más significativa de memoria", declaró Lisa Su, vicepresidenta de investigaciones y desarrollo de semiconductores en IBM.

Armonk, una filial de IBM con sede en Nueva York, dijo que la solución consiste en permutar la mayor parte de SRAM (siglas en inglés de static random access memory, o memoria estática de acceso aleatorio), usada para almacenar información de manera directa en chips, e integrar en el chip otro tipo de memoria, DRAM (siglas en inglés de dynamic random access memory, o memoria dinámica de acceso aleatorio).

SRAM es un tipo de memoria que es rápida y fácil de fabricar, pero ocupa gran espacio en los chips. En cambio DRAM, el tipo más común de memoria usado en las computadoras personales, suele ser almacenada en un chip separado. Previamente había sido considerada muy lenta para ser integrada directamente en una microprocesadora.

IBM dijo que ha podido acelerar la memoria DRAM al punto de que es casi tan veloz como la SRAM. El resultado es un tipo de memoria conocida como embedded DRAM (DRAM incrustada), o eDRAM, que triplica la cantidad de memoria y permite una mayor velocidad de trasvasamiento en juegos y en multimedia.

AP